1、产品特点:
凭借高于95%的极高量子效率,及其高达155×162毫米的极大有效面积,PILATUS4 R CdTe探测器可对基于从铜(Cu)到銦(In)的任何X射线源的快速数据收集。特别是对于钼(Mo)、银(Ag)和銦(In)辐射,PILATUS4 R CdTe的性能优于任何配有硅传感器的HPC探测器—甚至包括目前拥有最厚的硅传感器的PILATUS3。
PILATUS4凭借出色的计数率和五探测器背景噪音的特点,实现了跨越十个数量级的广泛动态范围,高达200Hz的内部帧速,进一步优化了计数率校准,从而确保高强度测量的高度准确性。此外,PILATUS4还具备四个能量区分阈值,为劳厄衍射和光谱成像等应用带来了新的可能。
2、核心优势
- 巨大且有效:有效成像面积高达155×162mm,量子效率超过95%
- 最大限度的高动态范围:通过零探测器背景噪音、卓越的计数率以及同步读/写技术,实现了最大限度的高动态范围。
- 多功能性:覆盖了从铜(Cu)到銦(In)高量子效率;四个能量区分阈值适用于多色光应用。
3、应用领域
- 单晶衍射
- 小角X射线散射
- 光谱成像
- 劳厄衍射
4、技术参数:
PILATUS4 R CdTe | 1M | 260K | 260K-W |
有效面积:宽×高 [mm²] | 155.0 x 162.0 | 77.0× 79.5 | 155.0 x 38.3 |
像素阵列 | 1033 x 1080 | 513 × 530 | 1033× 255 |
像素大小 [μm²] | 150 x 150 | ||
能量范围 [keV] | 8 - 25 (8 - 100)【1】 | ||
能量阈值数量 | 4 | ||
阈值范围 [keV] | 4-30(4-80)【1】 | ||
计数率
[ph/s/pixel] | 5.0 x 106 | ||
最大帧频 [Hz] | 10 | 100 | 100 |
读出时间【2】 | 连续读出 | ||
传感器材料 | CdTe | ||
传感器厚度[μm] | 1000 | ||
点扩散函数 | 1 pixel(FWHM) | ||
尺寸(WHD)[mm³] | 235 x 237 x 372 | 114 x 133 x 242 | 192 x 92 x 277 |
重量 [kg] | 15 | 4.7 | 5.8 |
【1】可选择校准来扩展能量范围
【2】两次曝光之间的有效死时间<100ns(最大损失1count/pixel)